X射线光电子能谱(XPS)来表征并确认硅纳米线接口(图2,B到d,而图S1)的逐步修饰。观察到对于HS-硅纳米线(图2,B及C)从所述硫醇S组2S的两个新的特征峰和2p电子,这表明初始硅烷化反应是成功的。与二硫化物接头OPSS-PEG-NH 2处理HS-硅纳米线之后,一个新的Nls电子峰中观察到(图2,B和d),这证实了接头末端胺基团的存在。当孵育H2N-硅纳米线与Tz的磺基-NHS酯中,N 1s峰的强度显着增加,这与Tz的基序中的氮含量是一致的。在将C 1s和N 1S区域去卷积的X射线光电子谱的进一步分析证实硅纳米线的表面上(见图S2)上的接合结构。
第11章,全球材料疲劳试验机的消费者分析;
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