按此芯片的（图1）的硅纳米线是由TZ-接枝硅纳米线，其通过光刻图案化和Ag纳米颗粒为模板的湿法蚀刻（27）的组合来制造的。将得到的垂直对准的硅纳米线（19）被切割成单独的芯片，然后处理以系绳Tz的基序到纳米结构。如图2A中所示，（3-巯基丙基）三甲氧基硅烷（MPS）是气相沉积在硅纳米线。由硅烷处理的硅纳米线呈现的终端硫醇基团，然后用邻 - 吡啶基二硫化物的聚乙二醇胺（OPSS-PEG-NH 2）反应，以结合由胺基封端的二硫化物连接体部分。最后，一个TZ-磺基-NHS酯耦合到终端胺以产生TZ-接枝硅纳米线。

立式圆筒形容器，填充高径比设计用于散装混合

Maecenas non nisl et erat tincidunt lobortis. Sed tempus feugiat sem sed auctor. Praesent id leo nec felis tempor viverra. Praesent metus augue, porttitor at bibendum vel, adipiscing consectetur tortor. Phasellus eu ligula turpis. Nulla porta, tortor pulvinar tincidunt tristique, metus nunc vestibulum magna, vel dictum odio tellus ut nisl. Nullam euismod tristique velit at pulvinar.

1996年詹妮弗毕业时，她加入了空军，被派往堪萨斯州的威奇托。