Project title 1
按此芯片的(图1)的硅纳米线是由TZ-接枝硅纳米线,其通过光刻图案化和Ag纳米颗粒为模板的湿法蚀刻(27)的组合来制造的。将得到的垂直对准的硅纳米线(19)被切割成单独的芯片,然后处理以系绳Tz的基序到纳米结构。如图2A中所示,(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷(MPS)是气相沉积在硅纳米线。由硅烷处理的硅纳米线呈现的终端硫醇基团,然后用邻 - 吡啶基二硫化物的聚乙二醇胺(OPSS-PEG-NH 2)反应,以结合由胺基封端的二硫化物连接体部分。最后,一个TZ-磺基-NHS酯耦合到终端胺以产生TZ-接枝硅纳米线。