X射线光电子能谱（XPS）来表征并确认硅纳米线接口（图2，B到d，而图S1）的逐步修饰。观察到对于HS-硅纳米线（图2，B及C）从所述硫醇S组2S的两个新的特征峰和2p电子，这表明初始硅烷化反应是成功的。与二硫化物接头OPSS-PEG-NH 2处理HS-硅纳米线之后，一个新的Nls电子峰中观察到（图2，B和d），这证实了接头末端胺基团的存在。当孵育H2N-硅纳米线与Tz的磺基-NHS酯中，N 1s峰的强度显着增加，这与Tz的基序中的氮含量是一致的。在将C 1s和N 1S区域去卷积的X射线光电子谱的进一步分析证实硅纳米线的表面上（见图S2）上的接合结构。

第3章，技术数据和制造工厂材料疲劳试验机分析，产能和商业生产日期，制造工厂分布，研发状况和技术来源，原材料来源分析；

Maecenas non nisl et erat tincidunt lobortis. Sed tempus feugiat sem sed auctor. Praesent id leo nec felis tempor viverra. Praesent metus augue, porttitor at bibendum vel, adipiscing consectetur tortor. Phasellus eu ligula turpis. Nulla porta, tortor pulvinar tincidunt tristique, metus nunc vestibulum magna, vel dictum odio tellus ut nisl. Nullam euismod tristique velit at pulvinar.

深入全球气候试验室市场细分分析：